MOS即MOSFET的簡寫，全稱是金屬氧化物場效應晶體管。便是利用輸入回路的電場效應來操控輸出回路電流的一種半導體器材。MOS管的構造、原理、特性、符號規矩和封裝種類等，大致如下。
　　1、MOS管的構造：
　　MOS場效應管的構造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體外表復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。
　　2、MOS管的特性：
　　1）MOS管是一個由改變電壓來操控電流的器材，所以是電壓器材。
　　2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。
　　絕緣柵場效應管也叫做金屬氧化物半導體場效應管，簡稱為M()S場效應管，分為耗盡型MOS管和加強型MOS管。
　　場效應管還有單柵極管和雙柵極符之分。雙柵場效應管具有兩個彼此獨立的柵極G1和G2，從構造上看相當于由兩個單柵場效應管串聯而成，其輸出電流的改變遭到兩個柵極電壓的操控。雙腑場效應管的這種特性，在作為高頻放大器、增益操控放大器、混頻器和解調器運用時會帶來很大方便。